Un mouvement de spins d’électrons compatible avec des mémoires magnétiques

15 Janvier 2021
Certaines propriétés du spin des électrons peuvent servir à des dispositifs spintroniques et au stockage d’une information magnétique. Parmi elles, le mouvement de précession dans le champ d’un matériau magnétique a déjà été observé, mais avec des faisceaux d’électrons de trop haute énergie pour être compatibles avec l’électronique moderne. Grâce à un tour de force expérimental de chercheurs de l’IJL (CNRS/Université de Lorraine), du SPINTEC (CNRS/CEA/UGA), de l’IPCMS (CNRS/Université de Strasbourg) et de l’Université de Cluj-Napoca (Roumanie), le phénomène a enfin été observé pour des électrons de plus faible énergie. Publiés dans la revue Annalen der Physik, ces travaux ouvrent la voie vers de nouvelles applications en spintronique.

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Représentation de la précession du spin (flèches colorées) d’un électron (boules grises) dans le champ moléculaire (flèches pastel) d’un matériau ferromagnétique (boules bleues). © Vautrin et al.

Référence :

Low-energy spin precession in the molecular field of a magnetic thin film Christopher Vautrin, Daniel Lacour, Coriolan Tiusan, Yuan Lu, François Montaigne, Mairbek Chshiev, Wolfgang Weber, Michel Hehn Annalen der Physik, 10 décembre 2020.

https://doi.org/10.1002/andp.202000470