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Antimatière : l’expérience GBAR du CERN rejoint l’anticlub !

L’expérience GBAR, au CERN, vient de rejoindre le club très sélect des expériences qui ont réussi à synthétiser des atomes d’antihydrogène. Il s'agit d'une étape majeure pour la collaboration GBAR dont l’objectif est de mesurer si l’antimatière se comporte à l’identique de la matière dans le champ de gravité terrestre. Les équipes françaises du CNRS et du CEA sont fortement impliquées dans l’expérience.

Des hétérostructures ferroélectriques contrôlées par la lumière pour l’électronique neuromorphique

Des hétérostructures de van der Waals combinant des couches ferroélectriques et semiconductrices ont été fabriquées puis assemblées dans des dispositifs ferroélectriques (‘FeFET’). L’étude de leurs propriétés optoélectroniques a révélé l’existence de mécanismes subtils d’interaction lumière-structure. La maitrise de ces mécanismes a permis de contrôler l’état de polarisation ferroélectrique par des pulses électriques et des pulses lumineux. Des propriétés de synapse artificielle ont été émulées, caractérisées, puis intégrées dans une simulation de réseau de neurones artificiels.

Sonder la lumière émise par un semi-conducteur 2D imagé à l’échelle atomique

Transistors, sources et détecteurs de lumière ou capteurs quantiques… de nombreux progrès en électronique et en photonique sont rendus possibles par l'exploitation des propriétés physiques remarquables des matériaux bidimensionnels. En s’appuyant sur les possibilités uniques offertes par la microscopie à effet tunnel, les équipes de Stéphane Berciaud et Guillaume Schull, chercheurs à l'Institut de physique et chimie des matériaux de Strasbourg (IPCMS - Unistra/CNRS), ont réussi à générer localement un signal de luminescence issu d’un semi-conducteur 2D imagé avec une résolution atomique. La découverte a été publiée dans Nature Materials.

Le comportement ferroélectrique unique du ferrite de gallium enfin démontré

Le ferrite de gallium est l’un des très rares matériaux connus à combiner, à température ambiante, des propriétés ferromagnétiques et ferroélectriques. L’incompréhension qui entourait sa ferroélectricité compliquait grandement l’intégration de ce matériau dans des dispositifs électroniques. Il n’était même pas certain que le ferrite de gallium soit réellement ferroélectrique. Des chercheurs de l’Institut de physique et de chimie des Matériaux de Strasbourg (CNRS/Université de Strasbourg), du Laboratoire de cristallographie et science des matériaux (CNRS/ENSI Caen/Université de Caen Normandie) et de l’Institut Jean Lamour (CNRS/Université de Lorraine) ont confirmé et expliqué son comportement ferroélectrique. Ces travaux, publiés dans la revue Acta Materialia, contribueront à promouvoir l’intégration de films minces de ferrite de gallium dans des dispositifs électroniques afin de concrétiser ses applications potentielles.
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